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點(diǎn)陣式激光打標(biāo)

作者:德正子慧 發(fā)布時(shí)間:2022-06-20 20:07:00

點(diǎn)陣式激光打標(biāo)

點(diǎn)陣式激光打標(biāo)方式因?yàn)榧す馐荒茉谝痪S方向偏轉(zhuǎn),所以只能實(shí)現(xiàn)在線打標(biāo),利用生產(chǎn)線自身的運(yùn)動速度實(shí)現(xiàn)二維打標(biāo)。由于二維速度的合成,所標(biāo)識字符不可避免地要發(fā)生一定的傾斜,尤其在生產(chǎn)線速度較高時(shí),這種情況更加明顯,甚至不能標(biāo)記字符。這種打標(biāo)方式相對于前面介紹的陣列式打標(biāo),在體積上更小,且可以標(biāo)記漢字,打標(biāo)速度也較高,對于在線打標(biāo)具有比較大的應(yīng)用前景。

準(zhǔn)分子激光打標(biāo)

由于連續(xù)固體激光器和CO2激光器對材料的熱損傷及熱擴(kuò)散比較嚴(yán)重,所以對一些特殊材料無法進(jìn)行打標(biāo),而準(zhǔn)分子激光器卻彌補(bǔ)了這種不足。準(zhǔn)分子激光器有三個(gè)輸出波長,即193nmArF)、248nm(XeCl)、351nm(XeF).由于材料對紫外光的吸收大,激光對材料的作用只發(fā)生在材料的最表層。此外由于準(zhǔn)分子激光具有很短的脈沖寬度,它對材料的熱影響是很表層的,因此又稱為“冷激光源”。它可以避免激光對材料內(nèi)部表面作用區(qū)周圍的熱損傷、微裂縫及材料的逆流。波長短、相干性差和熱擴(kuò)散小這些特性使得準(zhǔn)分子激光更適合于某些特殊材料的打標(biāo)。


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